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BSC026N08NS5 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET 專為電信和服務器電源的同步整流而設計。此外，該器件還可用于太陽能、低壓驅動和適配器等其他工業(yè)應用。OptiMOS? 5 80 V MOSFET 采用七種不同的封裝，具有業(yè)界最低的 RDS(on)。此外，與上一代產(chǎn)品相比，OptiMOS? 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。

BSC026N08NS5 特征

針對同步整流進行優(yōu)化

非常適合高開關頻率

輸出電容降低高達 44% 

RDS(on) 降低高達 43%

BSC026N08NS5 規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：23A（Ta），100A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.6 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） ：3.8V @ 115μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 92 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），156W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-TDSON-8-6  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN 

BSC026N08NS5潛在應用

通信

服務器

太陽能

低壓驅動器

輕型電動車

適配器

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