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STGB19NC60KDT4是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該芯片集成了一個(gè) 600V、20A 的 IGBT 和一個(gè)反向并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管，采用 D2PAK 封裝。這些器件是采用先進(jìn)的 PowerMESH? 技術(shù)開(kāi)發(fā)的超高速 IGBT。這種工藝保證了開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通行為之間的出色權(quán)衡。

功能——STGB19NC60KDT4

低導(dǎo)通壓降 (VCE(sat))

CRES / CIES 比率低（無(wú)交叉?zhèn)鲗?dǎo)電感）

短路耐壓時(shí)間 10 μs

與超高速續(xù)流二極管共同封裝的 IGBT

規(guī)格——STGB19NC60KDT4

產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: D2PAK-3

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 2 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 35 A

Pd-功率耗散: 125 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: STGB19NC60KDT4

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 35 A

高度: 4.6 mm

長(zhǎng)度: 10.4 mm

應(yīng)用——STGB19NC60KDT4

高頻逆變器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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