商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:VQFN-68
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CY8C4247LTQ-L485器件是一款采用32位ARM?-Cortex?-M0內(nèi)核的微控制器,屬于PSOC 4200L系列。這款PSoC還包括高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換、帶比較器模式的運(yùn)算放大器、全速USB控制器以及標(biāo)準(zhǔn)的通訊和計(jì)時(shí)設(shè)備。PSoC4200L系列全面兼容PSoC 4平臺(tái)的構(gòu)件,可以滿足新的應(yīng)用和設(shè)計(jì)需要。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品:CY8C4247LTQ-L485
核心處理器:ARM? Cortex?-M0
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:48MHz
連接能力:I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART
外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,CapSense,DMA LCD,LVD,POR,PWM,SmartSense,WDT
I/O 數(shù):55
程序存儲(chǔ)容量:128KB(128K x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?6K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x12b SAR; D/A 4x7/8b
振蕩器類(lèi)型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:68-QFN(8x8)
此外,CY8C4247LTQ-L485適用于各種需要低功耗和中等性能的應(yīng)用場(chǎng)景,如消費(fèi)電子、工業(yè)控制、智能家居等。其高集成度和豐富的外設(shè)接口(如I2C、SPI、UART)使其在嵌入式系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用前景?。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
LQFP100
11500
ARM? Cortex?-M3 STM32F1 微控制器 IC 32 位單核 24MHz 128KB(128K x 8) 閃存 100-LQFP(14x14)
NXP
WLCSP49
4000
ARM? Cortex?-M4/M0+ LPC54100 微控制器 IC 32 位雙核 100MHz 256KB(256K x 8) 閃存 49-WLCSP(3.44x3.44)
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD700N22K
DD700N22K是一款 60 mm 整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有高可靠性和出色的電氣性能,適用于多種工業(yè)和能源應(yīng)用場(chǎng)景。DD600N18K
DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。DD600N16K
DD600N16K 整流二極管 60 mm 功率塊 1600 V、600 A 模塊采用高可靠性壓力觸點(diǎn)技術(shù)設(shè)計(jì)和組裝,使用隔離鋁基板。DD560N45K
DD560N45K是一款高性能二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管,采用先進(jìn)的封裝技術(shù),確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。CY7S1061GE30-10ZXI
CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 A,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件…電話咨詢:86-755-83294757
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