歡迎來到深圳市明佳達(dá)電子有限公司

隨著5G網(wǎng)絡(luò)及設(shè)備的持續(xù)普及，半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)等將有巨大提升空間，催生大量新興應(yīng)用，將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來發(fā)展機(jī)遇，對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備商、制造商、設(shè)計(jì)商以及供應(yīng)商將是重要發(fā)展機(jī)會(huì)。

1、5G推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)向更高集成度、更小尺寸、更高性能發(fā)展

當(dāng)前，我國芯片設(shè)計(jì)在提升自給率、政策支持、規(guī)格升級(jí)與創(chuàng)新應(yīng)用等要素的驅(qū)動(dòng)下，保持著高速增長趨勢(shì)。2020年我國芯片設(shè)計(jì)行業(yè)銷售額首次突破500億美元。

芯片作為支撐5G發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)要素，將促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求、技術(shù)方面發(fā)生巨大變化。5G推動(dòng)芯片向更高集成度、更小尺寸和更高的性能發(fā)展，新的封裝技術(shù)要求設(shè)計(jì)和制造能力的不斷提升。

未來5年是毫米波網(wǎng)絡(luò)建設(shè)密集期，可實(shí)現(xiàn)uRLLC、mMTC應(yīng)用。5G射頻芯片及器件的材料工藝集成技術(shù)將發(fā)生重大變革。

2、5G推動(dòng)SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料突破發(fā)展

在5G階段，5G產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，傳統(tǒng)的硅原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗，而第三代半導(dǎo)體材料SiC、GaN能夠降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易實(shí)現(xiàn)小型化、更耐高溫高壓。

同時(shí)，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點(diǎn)，手機(jī)端射頻PA開啟GaAs制程。在基站端，GaN材料依托高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì)，將逐步運(yùn)用到基站功放器件中。

3、5G成為拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備的核心動(dòng)力

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)集中度高，前三家 AMAT、ASML、Lam的市場(chǎng)份額合計(jì)約占50%。5G帶動(dòng)先進(jìn)制程工藝設(shè)備需求爆發(fā)，將通過終端應(yīng)用產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，拉動(dòng)成熟制程工藝設(shè)備及存儲(chǔ)芯片工藝設(shè)備的市場(chǎng)需求。

4、5G拓展傳感器應(yīng)用范圍，柔性傳感器重要性凸顯

5G在傳感器的應(yīng)用方面，5G賦能圖像傳感器，增強(qiáng)機(jī)器視覺，能夠應(yīng)用于遠(yuǎn)程醫(yī)療、遠(yuǎn)程工業(yè)視頻等。

5G賦能開關(guān)傳感器，可以減少工廠線纜，以節(jié)約成本和生產(chǎn)線，以適應(yīng)定制化、柔性化的需求，運(yùn)用柔性電子技術(shù)和設(shè)備工藝制造柔性傳感器。5G將擴(kuò)展傳感器行業(yè)的應(yīng)用范圍，將提升改善傳感器產(chǎn)品、生產(chǎn)制造等方面的技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)。

5、5G推動(dòng)光電子器件需求進(jìn)一步增長

光器件是光電技術(shù)在通信領(lǐng)域重要的應(yīng)用產(chǎn)品，光器件在電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)中有不同的細(xì)化分類，例如光放大器、光纖連接器、光模塊、光電檢測(cè)器等，都屬于光器件。

光模塊是由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。5G接入網(wǎng)架構(gòu)變成CU-DU-AAU三層架構(gòu)，光模塊需求將進(jìn)一步提升。據(jù)相關(guān)預(yù)測(cè)5G時(shí)代光電子器件需求總量約為5300萬只，是4G時(shí)代需求的2.67倍。

6、5G推進(jìn)國產(chǎn)存儲(chǔ)生態(tài)加速構(gòu)建

5G時(shí)代，隨著物聯(lián)網(wǎng)、AR、AI、以及智慧城市、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展，入網(wǎng)的移動(dòng)設(shè)備大量增長，網(wǎng)絡(luò)交互行為更加頻繁，將拉動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)增加，數(shù)據(jù)的上傳和下載量將是過去4G時(shí)代的數(shù)倍，RRAM（阻變式存儲(chǔ)器）、MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）、PRAM/PCM（相變存儲(chǔ)器）等新的存儲(chǔ)技術(shù)可能有突破性發(fā)展。

國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍需面對(duì)產(chǎn)品良率、機(jī)臺(tái)建置以及IP相關(guān)限制等挑戰(zhàn)，構(gòu)建國產(chǎn)存儲(chǔ)生態(tài)，有助于推進(jìn)傳輸效率更快、穩(wěn)定性更高、存儲(chǔ)質(zhì)量更好的存儲(chǔ)產(chǎn)品落地。