明佳達電子長期大量供應氮化鎵 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET器件描述：LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護功 能，適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設計人員實現(xiàn)更 高水平的功率密度和效率。 LMG3522R0…
明佳達電子長期大量供應氮化鎵 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET
器件描述：
LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護功 能，適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設計人員實現(xiàn)更 高水平的功率密度和效率。
LMG3522R030RQSR集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種 集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關 電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū) 動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間， 這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。 GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報 告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過 流和 UVLO 監(jiān)控。
? 具有集成柵極驅(qū)動器的 650V GaN-on-Si FET
– 集成高精度柵極偏置電壓
– 200V/ns FET 釋抑
– 23.6MHz 開關頻率
– 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關性能和緩解 EMI
– 在 7.5V 至 18V 電源下工作
? 強大的保護
– 響應時間少于 100ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
– 硬開關時可承受 720V 浪涌
– 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護
? 高級電源管理
– 數(shù)字溫度 PWM 輸出
? 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現(xiàn)更低的電源環(huán)路電感
LMG3522R030RQSR產(chǎn)品應用：
? 開關模式電源轉(zhuǎn)換器
? 商用網(wǎng)絡和服務器 PSU
? 商用通信電源整流器
? 光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
? 不間斷電源
如有興趣，歡迎致電聯(lián)系陳先生：
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com
公司網(wǎng)址：ylxkg.cn
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
