深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)且回收（Cypress）CY14E256LA-SZ45XI 非易失性 SRAM 存儲器IC 256Kb 并聯(lián) 32-SOIC。產(chǎn)品詳情：CY14E256LA是一種快速靜態(tài)RAM，每個存儲單元中都有一個非易失性元件。內(nèi)存組織為32kb。嵌入的非易失性元件結(jié)合了QuantumTrap技術(shù)，產(chǎn)生了世界上最…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)且回收（Cypress）CY14E256LA-SZ45XI 非易失性 SRAM 存儲器IC 256Kb 并聯(lián) 32-SOIC。
產(chǎn)品詳情：
CY14E256LA是一種快速靜態(tài)RAM，每個存儲單元中都有一個非易失性元件。內(nèi)存組織為32kb。嵌入的非易失性元件結(jié)合了QuantumTrap技術(shù)，產(chǎn)生了世界上最可靠的非易失性存儲器。SRAM提供無限的讀寫周期，而獨立的非易失性數(shù)據(jù)駐留在高度可靠的QuantumTrap單元中。數(shù)據(jù)從SRAM傳輸?shù)椒且资栽?STORE操作)在斷電時自動進(jìn)行。上電后，數(shù)據(jù)從非易失性存儲器恢復(fù)到SRAM (RECALL操作)。存儲和召回操作也可以在軟件控制下使用。
特性：
? 25ns和45ns的訪問時間
? 內(nèi)部組織為32k × 8 (CY14E256LA)
? 關(guān)機自動存儲只有一個小電容
? 存儲到QuantumTrap非易失性元素，由軟件、設(shè)備引腳啟動，或在斷電時自動存儲
? 由軟件或上電啟動的SRAM召回
? 無限的讀、寫、回調(diào)周期
? 100萬個存儲周期到QuantumTrap
? 數(shù)據(jù)保留20年
? 單次5v + 10%操作
? 工業(yè)溫度
? 32針小輪廓集成電路(SOIC)封裝
? 無鉛和有害物質(zhì)限制(RoHS)符合
CY14E256LA-SZ45XI 技術(shù)參數(shù)：
存儲器類型：非易失
存儲器格式：NVSRAM
技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：256Kb
存儲器組織：32K x 8
存儲器接口：并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：45ns
訪問時間：45 ns
電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：32-SOIC
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