深圳市明佳達電子供應 英飛凌 IPDD60R050G7 600V N 溝道功率 MOSFET 晶體管IPDD60R050G7 的產(chǎn)品說明IPDD60R050G7 600 V CoolMOS? G7 超級結 (SJ) MOSFET 結合了頂部冷卻的創(chuàng)新概念，為 PFC 等大電流硬開關拓撲提供了系統(tǒng)解決方案，并為 LLC 拓撲提供了高端能效解決方案?！?/p>
深圳市明佳達電子供應 英飛凌 IPDD60R050G7 600V N 溝道功率 MOSFET 晶體管
IPDD60R050G7 的產(chǎn)品說明
IPDD60R050G7 600 V CoolMOS? G7 超級結 (SJ) MOSFET 結合了頂部冷卻的創(chuàng)新概念，為 PFC 等大電流硬開關拓撲提供了系統(tǒng)解決方案，并為 LLC 拓撲提供了高端能效解決方案。
IPDD60R050G7 的規(guī)格
晶體管極性：N 溝道
通道數(shù)：1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：600 V
Id - 持續(xù)漏極電流：47 A
Rds On - 漏極-源極電阻：50 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3 V
Qg - 柵極電荷：68 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度：+ 150 C
Pd - 功率耗散：278 W
通道模式：增強
配置：單通道
下降時間：3 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時間：6 ns
典型關斷延遲時間：72 ns
典型導通延遲時間：22 ns
單位重量：763.560 毫克
IPDD60R050G7 的特性
提供同類最佳的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
創(chuàng)新的頂部冷卻概念
內(nèi)置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感
TCOB 能力 >> 2.000 周期，符合 MSL1 標準，完全無鉛
IPDD60R050G7 的優(yōu)勢
實現(xiàn)最高能效
電路板和半導體的熱解耦克服了 PCB 的熱限制
減少寄生源電感，提高能效和易用性
實現(xiàn)更高的功率密度解決方案
超越最高質(zhì)量標準
IPDD60R050G7 的應用
電信
服務器
太陽能
PC 電源
SMPS
單相組串逆變器解決方案
48 V 配電裝置
DIN 導軌電源
電解氫
電信基礎設施
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