最新資訊產(chǎn)品說明：CY15B128Q-SXET 是一款 128 Kb 非易失性存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝。F-RAM 是非易失性的，執(zhí)行讀取和寫入操作類似于 RAM。它提供 121 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器導(dǎo)致的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。與串行閃存和…
產(chǎn)品說明：
CY15B128Q-SXET 是一款 128 Kb 非易失性存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝。F-RAM 是非易失性的，執(zhí)行讀取和寫入操作類似于 RAM。它提供 121 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器導(dǎo)致的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15B128Q-SXET以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫入延遲。在每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)會(huì)立即寫入內(nèi)存數(shù)組。下一個(gè)總線周期可以開始，而無需數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐久性。CY15B128Q 能夠支持 1013 個(gè)讀/寫周期，或比 EEPROM 多 1000 萬倍的寫入周期。
這些功能使 CY15B128Q-SXET 非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用程序。示例包括數(shù)據(jù)記錄（寫入周期數(shù)可能很關(guān)鍵）和要求苛刻的工業(yè)控制（串行閃存或 EEPROM 的長(zhǎng)寫入時(shí)間可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失）。
規(guī)格：
存儲(chǔ)器類型：非易失
存儲(chǔ)器格式：FRAM
技術(shù)：FRAM（鐵電體 RAM）
存儲(chǔ)容量：128Kb
存儲(chǔ)器組織：16K x 8
存儲(chǔ)器接口：SPI
時(shí)鐘頻率：33 MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁：-
訪問時(shí)間：9 ns
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
基本產(chǎn)品編號(hào)：CY15B128
應(yīng)用：
汽車車身控制模塊 （BCM）
汽車主機(jī)
時(shí)間：2025-06-07
時(shí)間：2025-06-07
時(shí)間：2025-06-07
時(shí)間：2025-06-07
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