深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng)和回收 N通道 IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽車級MOSFET晶體管 TO-252-3規(guī)格晶體管極性： N-溝道 通道數(shù)： 1個通道 Vds - 漏極-源極擊穿電壓：100V Id - 連續(xù)漏極電流：35 A Rds On - 漏極-源極電阻：20 mOhms Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 …
深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng)和回收 N通道 IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽車級MOSFET晶體管 TO-252-3
規(guī)格
晶體管極性： N-溝道
通道數(shù)： 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：100V
Id - 連續(xù)漏極電流：35 A
Rds On - 漏極-源極電阻：20 mOhms
Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.2 V
Qg - 柵極電荷： 39 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度： + 175 C
Pd - 功率耗散： 71 W
通道模式： 增強型
產(chǎn)品說明
IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS?-T功率晶體管，優(yōu)化了總柵極電荷，可用于較小的驅(qū)動輸出級。
特點
N溝道 - 增強模式
100%雪崩測試
175°C工作溫度
最大電流可達180A
MSL1峰值返回溫度高達260°C
低開關(guān)功率和傳導(dǎo)功率損耗，熱效率高
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