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閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲器

來源：本站時間：2025-02-18瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC一般說明S79FL512SDSMFBG03器件用單個 CS# 連接兩個四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC

一般說明

S79FL512SDSMFBG03器件用單個 CS# 連接兩個四路 I/O SPI 器件，形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通過 SPI 連接到主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單位串行輸入和輸出（IO1 和 IO5），以及四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。這種多寬度接口稱為 SPI 多 I/O 或 MIO。此外，這兩款器件還增加了對 QIO 的 DDR 讀取命令的支持，可在時鐘的兩個邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。Eclipse 架構(gòu)具有一個頁面編程緩沖區(qū)，允許在一次操作中編程多達(dá) 256 個字（512 字節(jié)）或 512 個字（1024 字節(jié)），從而使有效編程（分別高達(dá) 2 MB/s 或 3 MB/s）和擦除（高達(dá) 1 MB/s）的速度大大快于上一代 SPI 編程或擦除算法。直接從閃存執(zhí)行代碼通常稱為就地執(zhí)行（XIP）。通過以支持的更高時鐘速率使用 S79FL-S 器件和 QIO 或 DDR-QIO 命令，指令讀取傳輸速率可以達(dá)到或超過傳統(tǒng)的并行接口、異步、NOR 閃存，同時大幅減少信號數(shù)量。S79FL-S 產(chǎn)品具有高密度和各種嵌入式應(yīng)用所需的最快讀寫性能。它們是代碼陰影、XIP 和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。

產(chǎn)品屬性

存儲容量: 512 Mbit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 180 mA

接口類型: SPI

最大時鐘頻率: 80 MHz

組織: 64 M x 8

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

定時類型: Asynchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C