臺積電首度推出采用納米片晶體管（GAAFET）架構(gòu)的2nm（N2）制程工藝，將于2025年量產(chǎn)。
6月17日消息，今天凌晨舉行的臺積電北美技術(shù)論壇上，臺積電（TSMC）正式公布未來先進(jìn)制程路線圖。
其中，臺積電3nm（N3）工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而臺積電首度推出采用納米片晶體管（GAAFET）架構(gòu)的2nm（N2）制程工藝，將于2025年量產(chǎn)。
臺積電總裁在線上論壇表示，身處快速變動、高速成長的數(shù)字世界，對于運(yùn)算能力與能源效率的需求較以往更快速增加，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開啟前所未有的機(jī)會與挑戰(zhàn)。值此令人興奮的轉(zhuǎn)型與成長之際，臺積電在技術(shù)論壇揭示的創(chuàng)新成果彰顯了臺積電的技術(shù)領(lǐng)先地位，以及支持客戶的承諾。
與此同時，臺積電研發(fā)資深副總裁在這場會議上宣布，臺積電會在2024年擁有光刻機(jī)巨頭ASML最新的high-NA極紫外光（EUV）光刻機(jī)微影設(shè)備。“主要用于合作伙伴的研究目的......針對客戶需求，開發(fā)相關(guān)基礎(chǔ)架構(gòu)與格式的解決方案，推動創(chuàng)新?！?/span>
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