型號:IPS65R1K4C6 品牌:Infineon 批號:21+ 封裝:TO-251類型描述類別分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個制造商Infineon Technologies系列CoolMOS?包裝管件FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss)650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3.2A(Tc)…
型號:IPS65R1K4C6
品牌:Infineon
批號:21+
封裝:TO-251
類型 | 描述 |
---|---|
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 |
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | CoolMOS? |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | N 通道 |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 650 V |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 3.2A(Tc) |
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 1.4 歐姆 @ 1A,10V |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 100μA |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 225 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 28W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 通孔 |
供應商器件封裝 | PG-TO251-3-11 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短截引線,IPak |
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