安森美 NTMFS4925NT1G 30V N溝道功率MOSFET晶體管深圳市明佳達電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供高性能的 NTMFS4925NT1G 30V N 溝道功率 MOSFET 晶體管。這款 NTMFS4925NT1G MOSFET 晶體管具有出色的效率和功率處理能力，被廣泛應用于開關電源、電機驅動和功…
安森美 NTMFS4925NT1G 30V N溝道功率MOSFET晶體管
深圳市明佳達電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供高性能的 NTMFS4925NT1G 30V N 溝道功率 MOSFET 晶體管。這款 NTMFS4925NT1G MOSFET 晶體管具有出色的效率和功率處理能力，被廣泛應用于開關電源、電機驅動和功率放大等領域。
NTMFS4925NT1G 產(chǎn)品概述
NTMFS4925NT1G 是一款 30V N 溝道功率 MOSFET，采用先進的 MOSFET 技術設計，專為高效功率轉換和開關應用而優(yōu)化。
NTMFS4925NT1G 的主要技術參數(shù)包括
額定電壓 30V 漏極至源極電壓 (VDSS)，適用于低壓高效應用場合
導通電阻： 極低的 RDS(on)，典型值僅為 4.9mΩ@VGS=10V，顯著降低導通電阻損耗
電流能力： 連續(xù)漏極電流 (ID) 高達 60A，脈沖電流高達 240A
柵極電荷： 48nC 總柵極電荷 (Qg)，適合高頻開關應用
封裝 DFN5（5x6 毫米）表面貼裝封裝可優(yōu)化散熱性能并節(jié)省 PCB 空間
工作溫度 -55°C 至 +175°C 的寬溫度范圍，適用于惡劣環(huán)境
與同類產(chǎn)品相比，NTMFS4925NT1G 在功率密度和效率方面具有顯著優(yōu)勢。其低導通電阻大大降低了傳導損耗，而優(yōu)化的柵極驅動特性降低了開關損耗，從而提高了整體系統(tǒng)效率。
NTMFS4925NT1G 的特點
低 RDS(導通)，將傳導損耗降至最低
低電容，將驅動器損耗降至最低
優(yōu)化柵極電荷，將開關損耗降至最低
針對 5 V、12 V 柵極驅動器進行了優(yōu)化
NTMFS4925NT1G 器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHSC 標準
NTMFS4925NT1G 應用領域
NTMFS4925NT1G 30V N 溝道功率 MOSFET 憑借其出色的性能參數(shù)，在多個電子應用中發(fā)揮著重要作用。
電源管理系統(tǒng)：
用于 DC-DC 轉換器和電壓調(diào)節(jié)模塊 (VRM)
服務器、工作站和高端計算設備的電源設計
提高電源轉換效率的高效同步整流應用
為各種集成電路提供精確電壓的負載點 (POL) 轉換器
電機驅動和控制：
用于無人機和機器人的無刷直流 (BLDC) 電機驅動器
用于工業(yè)自動化設備的伺服電機控制
電動工具的高效電源開關
汽車輔助系統(tǒng)（如電動車窗、座椅調(diào)節(jié)）的驅動電路
消費電子應用：
筆記本電腦和平板電腦的電源管理
大電流 LED 驅動器和調(diào)光控制
便攜式設備的高效電源開關
音頻功率放大器的輸出級設計
其他專業(yè)領域
電池管理系統(tǒng) (BMS) 的充放電控制
太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率優(yōu)化器
電信基礎設施的配電
工業(yè)自動化設備的電源開關
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