最新資訊鎧俠計(jì)劃開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)，目標(biāo)打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時(shí)較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲(chǔ)器。
11 月 8 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲(chǔ)制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”計(jì)劃采納。
鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲(chǔ)器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。
鎧俠計(jì)劃開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)，目標(biāo)打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時(shí)較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲(chǔ)器。這不僅可提高存儲(chǔ)器利用效率，還有助于節(jié)能。
關(guān)于鎧俠
鎧俠（Kioxia）主要從事閃存（FLASH）及固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售。作為全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商，鎧俠在行業(yè)中處于領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在NAND閃存芯片生產(chǎn)方面，鎧俠是世界上頂級(jí)的生產(chǎn)商之一，全球市場(chǎng)份額僅次于三星。鎧俠在2012年曾全球首發(fā)24層BiCS1 3D NAND Flash，并在后續(xù)不斷優(yōu)化和發(fā)展，現(xiàn)已成功開(kāi)發(fā)出162層BiCS6 3D NAND Flash，為固態(tài)硬盤(pán)帶來(lái)更強(qiáng)勁的性能?。
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