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IXBF20N360 3600V反向?qū)?(BiMOSFET?) IGBT將MOSFET和IGBT的優(yōu)勢相結(jié)合。該高壓器件的飽和電壓和內(nèi)置二極管的正向電壓降均具有正電壓溫度系數(shù)，因此非常適合用于并聯(lián)運行。

規(guī)格

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：45 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：220 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A

功率 - 最大值：230 W

開關(guān)能量：15.5mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：43 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：18ns/238ns

測試條件：1500V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：1.7 μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：i4-Pac?-5（3 引線）

供應商器件封裝：ISOPLUS i4-PAC?

基本產(chǎn)品編號：IXBF20

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