商品名稱：STGSH80HB65DAG
數(shù)據(jù)手冊：
STGSH80HB65DAG.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：9-PowerSMD
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
STGSH80HB65DAG 是帶二極管的汽車級 ACEPACK SMIT 半橋拓撲 650 V、80 A HB 系列 IGBT 晶體管。該器件在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了兩個 IGBT 和二極管，安裝在非常緊湊和堅固的易表面貼裝封裝上。
產(chǎn)品特點
高速開關(guān)系列
最高結(jié)溫： TJ = 175 °C
低 VCE（飽和）= 1.7 V（典型值）@ IC = 80 A
尾電流最小
嚴(yán)格的參數(shù)分布
采用 DBC 基底面，熱阻低
正溫度 VCE（飽和）系數(shù)
軟且恢復(fù)速度極快的反并聯(lián)二極管
隔離額定值為 3.4 kVrms/min
應(yīng)用
用于電動汽車/混合動力汽車的直流/直流轉(zhuǎn)換器
車載充電器 (OBC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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