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安森美半導體的 FGA40T65SHD 新型場截止第 3 代 IGBT 系列采用新型場截止 IGBT 技術，為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信、ESS 和 PFC 等低導通和開關損耗至關重要的應用。

屬性

IGBT 類型： 溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 80 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm) ：120 A  

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值） ：2.1V @ 15V，40A

功率 - 最大值： 268 W  

開關能量： 1.01mJ（開），297μJ（關）

輸入類型： 標準  

柵極電荷： 72.2 nC

25°C 時 Td（開/關）值： 19.2ns/65.6ns

測試條件：400V，40A，6 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr) ：31.8 ns

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型： 通孔  

封裝/外殼： TO-3P-3，SC-65-3

供應商器件封裝：TO-3PN

基本產品編號：FGA40N65

應用

? 太陽能逆變器，UPS，焊機，電信，ESS, PFC

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