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STH275N8F7-6AG 是一款STripFET? F7系列低壓功率MOSFET（80 V）具有增強的溝槽柵結(jié)構(gòu)，可以降低器件的導通電阻，同時減小內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快速、更高效的開關(guān)切換。其出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM）和高雪崩耐量有助于簡化設計，降低設備尺寸和成本，同時提高應用可靠性，例如電信或計算系統(tǒng)、太陽能逆變器、電機控制和汽車應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 90A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：193 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13600 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：315W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：H2PAK-6

封裝/外殼：TO-263-7，D2PAK（6 引線 + 凸片）

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。