商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
IPC100N04S5-2R8是一款汽車級(jí) N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 OptiMOS?-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封裝形式,具備低導(dǎo)通電阻、高耐壓、大電流承載能力和快速開關(guān)速度等特點(diǎn),符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)功率、效率和可靠性的嚴(yán)格要求。
產(chǎn)品特點(diǎn)
符合汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn) :通過 AEC-Q101 認(rèn)證,確保在汽車應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。
低導(dǎo)通電阻 :最大導(dǎo)通電阻僅為 2.8mΩ(V_GS=10V,I_D=50A),有助于降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
高耐壓性能 :漏源耐壓為 40V,能夠滿足汽車電氣系統(tǒng)中的電壓要求。
大電流承載能力 :最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 100A(T_C=25℃,V_GS=10V),短時(shí)脈沖電流可達(dá) 400A,適用于高功率應(yīng)用。
快速開關(guān)速度 :具備快速的開關(guān)特性,有助于提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力,其典型接通延遲時(shí)間為 6ns,典型關(guān)斷延遲時(shí)間為 11ns。
出色的熱性能 :工作溫度范圍為 -55℃至 +175℃,能夠適應(yīng)汽車各種惡劣的工作環(huán)境,熱阻抗低,有助于散熱。
環(huán)保特性 :符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),屬于綠色產(chǎn)品。
IPC100N04S5-2R8產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) :7V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.8 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.4V @ 30μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 75W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí): 汽車級(jí)
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8-34
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMW65R007M2H
采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)方面均有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)…IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片,在元件內(nèi)部倒置。它提高了散熱能力,改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍,并提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點(diǎn)RDS(on) 大…ISC055N15NM6
ISC055N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC055N15NM6 的特性極低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr與 OptiMOS?ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時(shí)的業(yè)界最低 QrIAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 溝道 OptiMOS? 5 汽車 MOSFET 晶體管。IAUTN08S5N012L 的特點(diǎn)一個(gè)封裝中包含兩種 MOSFET!線性 FET 和低 RDS(on) FET 類型LINFET 開關(guān)速度慢,限制電流ONFET 用于限制穩(wěn)態(tài)損耗LINFET 具有增強(qiáng)的 SOA嚴(yán)格的 VGS(th) 范圍,適合…電話咨詢:86-755-83294757
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