FGAF40N60UFTU - UF 系列 IGBT 具有較低的傳導和開關損耗。UF 系列專為普通變頻器和 PFC 等需要高速開關的應用而設計。
產品屬性
技術： 硅
封裝/外殼：TO-3PF-3
安裝方式：通孔
配置：單
集電極-發(fā)射極電壓 VCEO 最大值：600 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓：3.1 V
最大柵極發(fā)射極電壓：- 20 V、20 V
25°C 時的連續(xù)集電極電流：40 A
Pd - 功率耗散： 100 W
最低工作溫度：- 55°C
最高工作溫度： + 150°C
最大連續(xù)集電極電流 Ic：40 A
柵極-發(fā)射極漏電流：100 nA
特點
高速開關：Eoff =12uJ/A
低飽和電壓：VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A
高輸入阻抗
應用
運動控制 - 家用電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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