商品名稱：IXYH55N120C4H1
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXYH55N120C4H1 - 用于 20kHz - 50kHz 開關(guān)的 1200V、55A XPT? Gen4 IGBT 晶體管，帶聲波二極管高速 IGBT
產(chǎn)品描述
這些器件采用我們專有的 XPT? 薄晶片技術(shù)和最先進(jìn)的溝槽式 IGBT 工藝開發(fā)而成，具有熱阻小、能量損耗低、開關(guān)速度快、尾電流低和電流密度高等特點(diǎn)。
特性和優(yōu)勢
針對低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化
正 VCE（飽和）熱系數(shù)
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
高電流處理能力
高功率密度
低柵極驅(qū)動要求
反平行聲波二極管
應(yīng)用
電源逆變器
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
焊接機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計。
VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器，專為高電壓、高電流的應(yīng)用場景設(shè)計。
IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為30mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的電阻較小，有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用，如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…
IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET，其耐壓值為1200V，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品：IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體：TO-247-4L晶體管極性：N-Channel…
IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET，具有低損耗、快速切換的特性，適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?：IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低，具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?：柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?：該MOSFE…
IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景，包括：太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢：86-755-83294757
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