商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：ON
年份：25+
封裝：H-PSOF-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
NTBL032N065M3S：碳化硅 (SiC) MOSFET——650V、55A、N通道 MOSFET 晶體管，H-PSOF-8
型號：NTBL032N065M3S
封裝：H-PSOF-8
類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管
NTBL032N065M3S 產(chǎn)品特點：
最高結溫 175°C
無引線薄型 SMD 封裝
開爾文源配置
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]
超低柵極電荷 (QG(tot) = 55 nC)
典型值 Vgs = 18V 時 RDS(on) = 32 mΩ
高速開關，低電容（Coss = 113 pF）
15V 至 18V 柵極驅動
體二極管反向恢復電流為零
額定電壓 650V
100% UIL 測試
NTBL032N065M3S 應用：
SMPS（開關模式電源）
太陽能逆變器
UPS（不間斷電源）
能源存儲
電動汽車充電基礎設施
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…
UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S：750V，18mohm，碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管，TO-247-4基本信息：型號：UJ4C075018K4S封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管FET 類型：N 通道技術：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）漏源電壓（Vdss）：750 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：81A（Tc）不同…
UJ3C065030T3S
UJ3C065030T3S：碳化硅（SiC）MOSFET——650V，85A，N通道 MOSFET 晶體管，TO-220-3基本信息：型號：UJ3C065030T3S封裝：TO-220-3類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管UJ3C065030T3S 產(chǎn)品屬性：FET 類型：N 通道漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：85A（Tc…
UJ3C120150K3S
UJ3C120150K3S 是一款 1200V，150mohm，碳化硅 (SiC) 級聯(lián) JFET - EliteSiC 晶體管，采用 TO-247-3 封裝。基本信息：型號：UJ3C120150K3S封裝：TO-247-3類型：碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管應用：- 電動汽車充電- 光伏逆變器- 功率因數(shù)校正裝置- 電機驅動器- 感應加熱UJ3C1…
UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S：650V，27mohm，碳化硅 (SiC) 級聯(lián) JFET - EliteSiC，TO-247-3基本信息：型號：UJ3C065030K3S封裝：TO-247-3類型：碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管UJ3C065030K3S 產(chǎn)品屬性：FET 類型：N 通道漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：85A（Tc）驅動…電話咨詢：86-755-83294757
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