商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)方面均有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
IMW65R007M2H 的特點(diǎn)
優(yōu)異的性能指標(biāo) (FOM)
TO-247 內(nèi)的個(gè)位數(shù) RDS(on)
同類最佳 RDS(on)
高穩(wěn)定性和整體質(zhì)量
支持單極驅(qū)動(dòng)(Vgsoff=0)
最佳的抗導(dǎo)通效應(yīng)
通過(guò) .XT 改進(jìn)封裝互連
IMW65R007M2H 的優(yōu)點(diǎn)
節(jié)省 BOM
最大限度地提高每美元的系統(tǒng)性能
可靠性最高
實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度
易于使用
與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容
允許無(wú)風(fēng)扇或散熱片設(shè)計(jì)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPC100N04S5-2R8
IPC100N04S5-2R8是一款汽車級(jí) N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 OptiMOS?-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封裝形式IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片,在元件內(nèi)部倒置。它提高了散熱能力,改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過(guò)模封裝的三倍,并提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點(diǎn)RDS(on) 大…ISC055N15NM6
ISC055N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC055N15NM6 的特性極低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr與 OptiMOS?ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時(shí)的業(yè)界最低 QrIAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 溝道 OptiMOS? 5 汽車 MOSFET 晶體管。IAUTN08S5N012L 的特點(diǎn)一個(gè)封裝中包含兩種 MOSFET!線性 FET 和低 RDS(on) FET 類型LINFET 開關(guān)速度慢,限制電流ONFET 用于限制穩(wěn)態(tài)損耗LINFET 具有增強(qiáng)的 SOA嚴(yán)格的 VGS(th) 范圍,適合…電話咨詢:86-755-83294757
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