瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能。基于這一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動…
瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個領(lǐng)域。
Renesas開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低客戶系統(tǒng)設(shè)計中的功率損耗。
REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。
除了優(yōu)秀的電氣特性外，Renesas的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標準TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統(tǒng)TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學(xué)檢測。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來，Renesas在MOSFET領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢，憑借我們強大的制造能力和多個高產(chǎn)能工廠的供貨保障，Renesas致力于為客戶提供卓越的產(chǎn)品和服務(wù)?！?/span>
成功產(chǎn)品組合
Renesas將全新MOSFET與其產(chǎn)品組合中的眾多器件相結(jié)合，推出多種“成功產(chǎn)品組合”方案，包括48V電動平臺和三合一電動汽車單元（逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器）等。這些方案基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品，具備經(jīng)驗證的系統(tǒng)架構(gòu)并帶來經(jīng)優(yōu)化的低風(fēng)險設(shè)計，以加快產(chǎn)品上市速度。Renesas現(xiàn)已基于其產(chǎn)品陣容中的各類產(chǎn)品，推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”，使客戶能夠加速設(shè)計過程，更快地將產(chǎn)品推向市場。更多信息，請訪問：https://www.renesas.com/win。
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