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MRAM存儲替代閃存,萊迪思FPGA升級新技術(shù)

MRAM存儲替代閃存,萊迪思FPGA升級新技術(shù)

來源:本站時間:2025-03-10瀏覽數(shù):

日前,萊迪思宣布在FPGA設(shè)計上前瞻性的布局,使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù),推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計和成熟的制程技術(shù),具備內(nèi)置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制,為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的…

日前,萊迪思宣布在FPGA設(shè)計上前瞻性的布局,使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù),推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計和成熟的制程技術(shù),具備內(nèi)置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制,為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具,直接實現(xiàn)MRAM的編程接口,支持多種存儲容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件,用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。

 

為FPGA設(shè)計電路或應(yīng)用時,需要使用硬件描述語言(HDL)來描述FPGA內(nèi)部的功能應(yīng)如何布線。HDL代碼使用FPGA開發(fā)軟件編譯成FPGA配置文件,即位流。位流包含二進制數(shù)據(jù),告訴FPGA內(nèi)部的每個邏輯元件(觸發(fā)器、門電路等)如何連接和執(zhí)行數(shù)字功能。位流生成后,將存儲在非易失性存儲器件中。在上電過程中,配置位流被加載到FPGA中。一旦配置了位流,F(xiàn)PGA就會開始執(zhí)行任各類編程任務(wù),如數(shù)據(jù)或信號處理、控制功能和協(xié)議橋接等。

 

萊迪思表示,F(xiàn)PGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用;然而,隨著技術(shù)的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加,人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求,它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限,要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步。

 

例如,在需要高耐用性或高性能的網(wǎng)絡(luò)邊緣應(yīng)用中,MRAM 可以通過OTA處理大量的高速讀/寫周期,以支持持續(xù)的數(shù)據(jù)更新,而無需經(jīng)歷擦除周期,也無需使用閃存文件系統(tǒng)或?qū)S每刂破?。閃存雖然在某些條件下性能可靠,但在耐用性方面存在局限性。

 

在汽車應(yīng)用中,MRAM可在較大的溫度范圍和惡劣條件下高效運行。在關(guān)鍵任務(wù)運輸和航空電子應(yīng)用中,MRAM對于存儲系統(tǒng)的設(shè)置和操作數(shù)據(jù)記錄至關(guān)重要。在對數(shù)據(jù)可靠性要求極高的太空應(yīng)用中,MRAM具有抗強輻射的能力,可簡化在軌重新編程,限制輻射引起的錯誤。

 

在實時傳感器數(shù)據(jù)處理或高可靠性通信等對時間要求極高的環(huán)境中,對快速配置的需求至關(guān)重要。傳統(tǒng)的閃存會導(dǎo)致啟動時間延遲。

 

磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù),它利用材料的磁性來存儲數(shù)據(jù)。與依靠電荷存儲的傳統(tǒng)閃存不同,磁隨機存取存儲器利用磁隧道結(jié)將二進制數(shù)據(jù)表示為磁性狀態(tài)的方向。這種方法具有多種優(yōu)勢,包括更低的功耗、更高的耐用性以及更快的讀寫速度。此外,MRAM的非易失性確保了即使在沒有電源的情況下也能保留數(shù)據(jù),使其成為閃存的可靠而高效的替代品。

萊迪思表示,使用MRAM來存儲FPGA配置位流不僅僅是一種技術(shù)升級,更是一種面向未來的高可靠性系統(tǒng)的戰(zhàn)略舉措。隨著各行各業(yè)對其電子元件的要求不斷提高,支持MRAM的FPGA系統(tǒng)已成為故障零容忍應(yīng)用的最佳解決方案。

 

在AI時代,MARM的特性可滿足邊緣計算的需求,也是存算一體的理想存儲器之一。MRAM與人工智能芯片結(jié)合,實現(xiàn)存算一體的架構(gòu),提高人工智能算法的運行效率。例如,在圖像識別、語音識別等領(lǐng)域,存算一體的人工智能芯片可以實現(xiàn)更高的性能和更低的功耗。

 

MRAM基于對電子“自旋”的控制,可以達到理論上的零靜態(tài)功耗,同時具有高速和非易失性以及近乎無限的寫入次數(shù)。MRAM在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優(yōu)越性。

 

MRAM還與其他存儲技術(shù)融合,例如將MRAM與DRAM、閃存等結(jié)合,在移動設(shè)備中可以將MRAM作為高速緩存,與DRAM 和 Flash 組成混合存儲系統(tǒng),提高設(shè)備的性能和續(xù)航能力。發(fā)揮各種存儲技術(shù)的優(yōu)勢,實現(xiàn)性能、容量和成本的最佳平衡。

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